| 论文编号: | 172511O120100311 |
| 第一作者所在部门: | 六室 |
| 论文题目: | 微带阵列天线单元耦合与辐射场合成特性研究v2 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 郑占旗 |
| 论文出处: | 其他国内刊物 |
| 刊物名称: | 微系统技术发展研讨会 |
| 年: | 2010 |
| 卷: | |
| 期: | |
| 页: | 262-275 |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0 |
| 摘要: | 独立设计了一款S波段，带宽115M的微带天线，并用其组成了两种阵列天线形式，分析了其单元耦合特性的不同，并用电屏蔽介质分析了去偶对辐射场的影响。进而，从软件仿真和理论分析两个角度重点分析了微带天线辐射场直接合成的方向图特性，得到了增益、辐射场、主副瓣与单元间距的关系，对未来设计微带阵列天线起到了前期预测天线特性的参考意义。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 微系统技术发展研讨会 |
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