论文编号: 172511O120100326
第一作者所在部门: 九室一组
论文题目: 一种用于硅基封装的高密度埋入电容的研究
论文题目英文:
作者: 王惠娟
论文出处: EI收录
刊物名称: ICEPT-HDP
: 2010
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收录类别:
影响因子: 0
摘要: Huijuan Wang, Fengwei Dai, Daniel Guidotti ,Yao Lv, Liqiang Cao, Lixi Wan
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: ICEPT-HDP