金属栅/高k栅介质/SiO2/Si栅结构的平带电压偏移和能带自对准的深入理解--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	172511O120110372
第一作者所在部门:
论文题目:	金属栅/高k栅介质/SiO2/Si栅结构的平带电压偏移和能带自对准的深入理解
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
年:	2011
卷:
期:
页:
联系作者:	王文武
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: