一种基于部分耗尽SOI COMS技术的辐射加固SRAM存储单元设计--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110361
第一作者所在部门:
论文题目:	一种基于部分耗尽SOI COMS技术的辐射加固SRAM存储单元设计
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	IEEE EDSSC(会议）
年:	2011
卷:
期:
页:
联系作者:	韩郑生
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英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	IEEE EDSSC