高K介质/InGaAs界面工程在金属氧化物半导体场效应晶体管中的应用--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110282
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论文题目:	高K介质/InGaAs界面工程在金属氧化物半导体场效应晶体管中的应用
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刊物名称:
年:	2011
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联系作者:	刘洪刚
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备注:	第五届海内外中华青年材料科学技术研讨会