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论文编号: 172511O120110254
第一作者所在部门:
论文题目: GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称: 物理学报
年: 2011
卷: 60
期: 9
页:
联系作者: 刘新宇
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