NiO基RRAM的RESET统计--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110216
第一作者所在部门:
论文题目:	NiO基RRAM的RESET统计
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	1st International Workshop on RRAM
年:	2011
卷:
期:
页:
联系作者:	Jordi Sune
收录类别:
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英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	1st International Workshop on RRAM