辐射加固256K CMOS SOI SRAM--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110136
第一作者所在部门:
论文题目:	辐射加固256K CMOS SOI SRAM
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集
年:	2011
卷:
期:
页:
联系作者:	赵凯
收录类别:
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备注:	第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会