基于MOCVVD外延材料的GaAs基MHEMT器件研制--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110018
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论文题目:	基于MOCVVD外延材料的GaAs基MHEMT器件研制
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刊物名称:	Chinese Physics B
年:	2011
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联系作者:	徐静波
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