提高了速度和保持特性的采用HfO2/Ta2O5堆叠存储层的电荷存储器--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110087
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论文题目:	提高了速度和保持特性的采用HfO2/Ta2O5堆叠存储层的电荷存储器
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刊物名称:	Semiconductor Science and Technology
年:	2011
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联系作者:	刘明
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