一种采用结辅助提高硅纳米晶存储器性能的新编程方法--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	172511O120110046
第一作者所在部门:
论文题目:	一种采用结辅助提高硅纳米晶存储器性能的新编程方法
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	ECS Transactions
年:	2011
卷:
期:
页:
联系作者:	刘明
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:

中国科学院微电子研究所版权所有邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1