采用Al2O3/HfSiO堆叠阻挡层的改进型电荷俘获存储器--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110086
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论文题目:	采用Al2O3/HfSiO堆叠阻挡层的改进型电荷俘获存储器
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刊物名称:	Chinese Physics B
年:	2011
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联系作者:	刘明
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