用于X波段的14.2W/mm内匹配AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110084
第一作者所在部门:
论文题目:	用于X波段的14.2W/mm内匹配AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	Solid-State Electronics
年:	2011
卷:	64
期:	1
页:	63
联系作者:	彭铭曾
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