基于InGaP HBT工艺的3.4-3.6GHz单片功率放大器设计--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110072
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论文题目:	基于InGaP HBT工艺的3.4-3.6GHz单片功率放大器设计
论文题目英文:
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论文出处:
刊物名称:	半导体学报
年:	2011
卷:
期:	9
页:
联系作者:	郝明丽
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