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论文编号: 172511O120120320
第一作者所在部门: 一室
论文题目: 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究
论文题目英文:
作者: 高博
论文出处:
刊物名称: 核技术
年: 2012
卷: 35
期: 6
页: 434
联系作者: 高博
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备注: 其他国内刊物
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