低功率电阻开关在铜/氧化铪双层结构的类金刚石碳薄膜形成装置--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120120275
第一作者所在部门:	三室一组
论文题目:	低功率电阻开关在铜/氧化铪双层结构的类金刚石碳薄膜形成装置
论文题目英文:
作者:	刘明
论文出处:
刊物名称:	1st International Workshop on Resistive RAM
年:	2012
卷:
期:	1
页:	100
联系作者:	刘明
收录类别:
影响因子:	2.168
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	EI收录