SiC衬底的多指AlGaN/GaN高迁移率器件热阻的建模、仿真和分析--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120120245
第一作者所在部门:	四室一组
论文题目:	SiC衬底的多指AlGaN/GaN高迁移率器件热阻的建模、仿真和分析
论文题目英文:
作者:	刘新宇
论文出处:
刊物名称:	CHIN. PHYS. LETT
年:	2012
卷:	29
期:	8
页:	088502-1
联系作者:	刘新宇
收录类别:
影响因子:	0.731
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	SCI收录