版图结构变化对多指AlGaN/GaN高迁移率晶体管的栅指温度的影响--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120120244
第一作者所在部门:	四室一组
论文题目:	版图结构变化对多指AlGaN/GaN高迁移率晶体管的栅指温度的影响
论文题目英文:
作者:	刘新宇
论文出处:
刊物名称:	Journal of Semiconductors
年:	2012
卷:	33
期:	9
页:	094004-1
联系作者:	刘新宇
收录类别:
影响因子:	0.731
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	EI收录