等离子体浸没离子注入制备黑硅抗反射层及其光学特性研究--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120120241
第一作者所在部门:	八室一组
论文题目:	等离子体浸没离子注入制备黑硅抗反射层及其光学特性研究
论文题目英文:
作者:	刘肃
论文出处:
刊物名称:	物理学报
年:	2012
卷:
期:	14
页:	148102-1
联系作者:	刘肃
收录类别:
影响因子:	2.475
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	SCI收录