基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高速比较器分析与设计--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120120233
第一作者所在部门:	EDA中心
论文题目:	基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高速比较器分析与设计
论文题目英文:
作者:	陈天佐
论文出处:
刊物名称:	微电子学与计算机
年:	2012
卷:
期:	7
页:	51
联系作者:	陈天佐
收录类别:
影响因子:	0
摘要:
英文摘要:
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备注:	CSCD收录