具有InP界面层的InGaAs 场效应晶体管的微波特性--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120120213
第一作者所在部门:	研究生6,四室一组
论文题目:	具有InP界面层的InGaAs 场效应晶体管的微波特性
论文题目英文:
作者:	刘洪刚
论文出处:
刊物名称:	solid state Device and Materials
年:	2012
卷:
期:	2012
页:	PS-6-4
联系作者:	刘洪刚
收录类别:
影响因子:	0.3209
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	其他国外刊物