| 论文编号: | 172511O120120201 |
| 第一作者所在部门: | 研究生6,四室一组 |
| 论文题目: | SiN和a-Si:H对电池的钝化效果以及HF酸的作用 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 贾锐 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会 |
| 年: | 2012 |
| 卷: | |
| 期: | 12 |
| 页: | 6 |
| 联系作者: | 贾锐 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 3.009 |
| 摘要: | 本文通过实验发现生长钝化层之前使用HF酸将硅片表面的氧化层充分漂洗掉对电池片电学性能的影响至关重要。同时，对比了SiN膜和a-Si:H膜对太阳能电池的钝化效果，发现a-Si:H膜有利于提高电池的开路电压，但是和SiN薄膜相比，短路电流有所下降，通过内量子效率发现，主要是由于非晶硅对短波光的吸收造成，同时降低了电池的效率。可见，非晶硅有利于太阳能电池的钝化，但是为了综合提高电池的性能，仍需进一步优化，利用好非晶硅和氮化硅对电池的钝化效果。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 其他国内刊物 |
科研产出