| 论文编号: | 172511O120120199 |
| 第一作者所在部门: | 四室一组 |
| 论文题目: | 带AlGaN背势垒结构的SiC衬底GaN HEMT在高电压下的退化 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 刘新宇 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE International Workshop on Microwave and Millimeter Wave Circuits and System Technology |
| 年: | 2012 |
| 卷: | |
| 期: | 1 |
| 页: | 1 |
| 联系作者: | 刘新宇 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.579 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 3,4 |
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