SOI工艺下不同薄膜厚度导致静电保护器件SCR维持电压漂移--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120120173
第一作者所在部门:	一室
论文题目:	SOI工艺下不同薄膜厚度导致静电保护器件SCR维持电压漂移
论文题目英文:
作者:	韩郑生
论文出处:
刊物名称:	Journal of Semiconductors
年:	2012
卷:	33
期:	3
页:	034006-1
联系作者:	韩郑生
收录类别:
影响因子:	0.0967
摘要:
英文摘要:
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备注:	EI收录