100 mm直径硅衬底上MOCVD外延生长无裂纹GaN研究--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120120072
第一作者所在部门:	十室一组
论文题目:	100 mm直径硅衬底上MOCVD外延生长无裂纹GaN研究
论文题目英文:
作者:	包琦龙
论文出处:
刊物名称:	2012全国半导体器件技术、产业发展研讨会
年:	2012
卷:
期:	7
页:	35
联系作者:	包琦龙
收录类别:
影响因子:	1.167
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	其他国内刊物