| 论文编号: | 172511O120120061 |
| 第一作者所在部门: | 一室 |
| 论文题目: | 基于RHBD技术的深亚微米抗辐射SRAM电路的研究 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 韩郑生 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2012 |
| 卷: | |
| 期: | 1 |
| 页: | 18 |
| 联系作者: | 韩郑生 |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 研究了目前业内基于抗辐射加固设计(RHBD)技术的静态随机存储器(SRAM)抗辐射加固设计技术,着重探讨了电路级和系统级两种抗辐射加固方式。电路级抗辐射加固方式主要有在存储节点加电容电阻、引入耦合电容、多管存储单元三种抗辐射加固技术;系统级抗辐射加固方式分别是三态冗余(TMR)、一位纠错二位检错(SEC-DED)和二位纠错(DEC)三种纠错方式,并针对各自的优缺点进行分析。通过对相关产品参数的比较,得到采用这些抗辐射加固设计可以使静态随机存储器的软错误率达到1×10-12翻转数/位.天以上,且采用纠检错(EDAC)技术相比其他技术能更有效提高静态随机存储器的抗单粒子辐照性能。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | CSCD收录 |
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