高压工艺下针对射频LDMOS器件栅氧的静电保护设计--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120120180
第一作者所在部门:	一室,研究生1
论文题目:	高压工艺下针对射频LDMOS器件栅氧的静电保护设计
论文题目英文:
作者:	姜一波
论文出处:
刊物名称:	Journal of Semiconductors
年:	2012
卷:	33
期:	4
页:	044007-1
联系作者:	姜一波
收录类别:
影响因子:	1.4466
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	EI收录