能带工程对基于纳米尺寸的高K电荷俘获型闪存性能和稳定性的影响--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	172511O120120284
第一作者所在部门:	三室
论文题目:	能带工程对基于纳米尺寸的高K电荷俘获型闪存性能和稳定性的影响
论文题目英文:
作者:	刘明
论文出处:
刊物名称:	JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS
年:	2012
卷:
期:	45
页:	065104-1
联系作者:	刘明
收录类别:
影响因子:	0.747
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	SCI收录