航天DC-DC用高压抗辐射加固功率MOSFET研究-中国航天科技集团公司2013年元器件专题论坛--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120130261
第一作者所在部门:
论文题目:	航天DC-DC用高压抗辐射加固功率MOSFET研究-中国航天科技集团公司2013年元器件专题论坛
论文题目英文:
作者:	高博
论文出处:
刊物名称:	中国航天科技集团公司2013年元器件专题论坛
年:	2013-10-01
卷:	10
期:	2013
页:	01
联系作者:	高博
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