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论文编号: 172511O120130233
第一作者所在部门:
论文题目: PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究
论文题目英文:
作者: 高博
论文出处:
刊物名称: 原子能科学技术
年: 2013-05-01
卷: 47
期: 5
页: 01
联系作者: 高博
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