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论文编号: 172511O120130232
第一作者所在部门:
论文题目: 功率ＶＤＭＯＳ器件低剂量率辐射损伤效应研究
论文题目英文:
作者: 高博
论文出处:
刊物名称: 微电子学
年: 2013-02-01
卷: 43
期: 1
页: 115
联系作者: 高博
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