High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and (NH4)2S surface passivation--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120130211
第一作者所在部门:
论文题目:	High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and (NH4)2S surface passivation
论文题目英文:
作者:	刘洪刚
论文出处:
刊物名称:	Chinese Physics B
年:	2013-03-26
卷:
期:	22
页:	107302-1
联系作者:	刘洪刚
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