| 论文编号: | 172511O120130200 |
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| 作者: | 赵超 |
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| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2013-06-26 |
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| 期: | 38 |
| 页: | 292 |
| 联系作者: | 赵超 |
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| 摘要: | 介绍了在Si( 111) 衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层，系统研究了预铺铝时 间对成核层的影响 分别利用扫描电子显微镜( SEM) 和高分辨率X射线衍射( HRXRD) 对 AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征 实验结果表明，优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层 生长模式由3D向2D的转变 有效提高了AlN成核层的表面形貌，还可以提高其晶格质量 结 合实验现象，根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应，提出相应的生长模型，讨论了预铺铝 时间和AlN生长模式的关系，在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响 |
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| 外单位作者单位: | |
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