论文编号: 172511O120130198
第一作者所在部门:
论文题目: Microwave Performance of In0.25Ga0.75As MOSFET with an InGaP interfacial layer
论文题目英文:
作者: 刘洪刚
论文出处:
刊物名称: Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
: 2013-12-27
:
: 2013
: 172
联系作者: 刘洪刚
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