Schottky barrier height modulation in metal/n-Ge system--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120130192
第一作者所在部门:
论文题目:	Schottky barrier height modulation in metal/n-Ge system
论文题目英文:
作者:	刘洪刚
论文出处:
刊物名称:	第八届中国功能材料及其应用学术会议
年:	2013-08-25
卷:
期:	2013
页:	73
联系作者:	刘洪刚
收录类别:
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