| 论文编号: | 172511O120130191 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 100mm直径硅衬底上MOCVD外延生长无裂纹GaN |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 罗军 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2013-04-03 |
| 卷: | |
| 期: | 38 |
| 页: | 130 |
| 联系作者: | 罗军 |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 为实现在100mm直径硅衬底上金属有机物化学气相外延( MOCVD) 生长无裂纹 GaN，系统研究了预铺铝时间参数对AlN成核质量的影响 不同厚度条件下AlN层对GaN生长 的影响以及Al 组分渐变的AlGaN缓冲层对GaN裂纹抑制的效果 实验结果表明，适当的预铺铝 时间可以显著提高AlN成核层晶体质量，合理的AlN层厚度有助于上层GaN的生长，AlN与 GaN之间AlGaN缓冲层的引入可以有效抑制GaN裂纹的产生 最后，采用高分辨率X射线衍射 ( HRXRD) 测试了MOCVD外延生长的无裂纹GaN材料，得到AlN( 002) 面 GaN( 002) 面和 GaN( 102) 面的衍射峰半峰宽( FWHM) 分别为1382，550和746arcsec |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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