功率MOS和IGBT器件在无嵌位电感开关条件下的动态雪崩特性研究--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	172511O120130144
第一作者所在部门:
论文题目:	功率MOS和IGBT器件在无嵌位电感开关条件下的动态雪崩特性研究
论文题目英文:
作者:	韩郑生
论文出处:
刊物名称:	Journal of Semiconductors
年:	2013-03-01
卷:	34
期:	3
页:	034002-1
联系作者:	韩郑生
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: