高深宽比的硅通孔的Cu电沉积模拟填充的实验验证模型--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120130140
第一作者所在部门:
论文题目:	高深宽比的硅通孔的Cu电沉积模拟填充的实验验证模型
论文题目英文:
作者:	伍恒
论文出处:	ECTC
刊物名称:	2013 Electronic Components & Technology Conference
年:	2013-04-18
卷:
期:	2013
页:	2366
联系作者:	伍恒
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