论文编号: | 172511O120130029 |
第一作者所在部门: | |
论文题目: | 基于GaN HEMT的1.5~3.5GHz宽带平衡功率放大器设计 |
论文题目英文: | |
作者: | 冷永清 |
论文出处: | |
刊物名称: | 电子学报 |
年: | 2013-04-01 |
卷: | 41 |
期: | 4 |
页: | 815 |
联系作者: | 冷永清 |
收录类别: | |
影响因子: | |
摘要: | 阐述了基于 GaN HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法: 采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构, 采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络, 实现功放宽带特性(1.5~3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片, 克服管芯与载片热稳定系数不同引起的热稳定问题, 并采用脉冲工作模式进一步减小功放发热量。 制作实际功放模块用于测试, 在1.5~3.5GHz频带内, 功放线性增益大于12dB,增益平坦度为±0.4dB, 饱和输出功率大于8W,漏极效率为56%~65%。实验测试结果与设计仿真结果有较好一致性, 验证了设计方法的正确性. |
英文摘要: | |
外单位作者单位: | |
备注: | |
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