论文编号: 172511O120130008
第一作者所在部门:
论文题目: 运用AlGaAs缓冲层在Si衬底上生长GaAs/AlGaAs异质纳米线
论文题目英文:
作者: 郭经纬
论文出处:
刊物名称: Journal of Crystal Growth
: 2013-01-06
: 359
: 11
: 30
联系作者: 郭经纬
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