等离子增强ALD沉积AlN钝化AlGaN/GaN HEMTs的机理：利用极化电荷补偿界面态--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120130012
第一作者所在部门:
论文题目:	等离子增强ALD沉积AlN钝化AlGaN/GaN HEMTs的机理：利用极化电荷补偿界面态
论文题目英文:
作者:	黄森
论文出处:
刊物名称:	IEEE Electron Device Letters
年:	2013-02-01
卷:	2
期:	34
页:	193
联系作者:	黄森
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