GaN基功率开关和功率放大器件的等离子增强AlN钝化--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120130017
第一作者所在部门:
论文题目:	GaN基功率开关和功率放大器件的等离子增强AlN钝化
论文题目英文:
作者:	陈敬
论文出处:
刊物名称:	Semiconductor Science and Technology
年:	2013-06-21
卷:	28
期:	7
页:	074015-1
联系作者:	陈敬
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