界面氧化对等离子增强原子层沉积AlN钝化AlGaN/GaN异质结中二维电子气输运的影响--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120130016
第一作者所在部门:
论文题目:	界面氧化对等离子增强原子层沉积AlN钝化AlGaN/GaN异质结中二维电子气输运的影响
论文题目英文:
作者:	刘新宇
论文出处:
刊物名称:	Journal of Applied Physics
年:	2013-10-11
卷:	114
期:	14
页:	144509-1
联系作者:	刘新宇
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