等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	1725110120150015
第一作者所在部门:	研究生4，八室一组
论文题目:	等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用
论文题目英文:
作者:	邹志超
论文出处:
刊物名称:	半导体技术
年:	2014
卷:	39
期:	8
页:	596
联系作者:	邹志超
收录类别:
影响因子:	0
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: