GaN HEMTs with AlN/GaN super-lattice as barrier layer for Ka-band power applications--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150002
第一作者所在部门:	四室一组
论文题目:	GaN HEMTs with AlN/GaN super-lattice as barrier layer for Ka-band power applications
论文题目英文:
作者:	魏珂
论文出处:
刊物名称:	IWN2014
年:	2014
卷:	1
期:	1
页:	109
联系作者:	魏珂
收录类别:
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