论文编号: 1725110120140293
第一作者所在部门: 研究生5,三室
论文题目: Low temperature atomic layer deposited HfO2 for high performance charge trapping flash memory application
作者: 陈国星
刊物名称: semiconductor science and technology
: 2014
: 29
: 4
: 1
联系作者: 陈国星
影响因子: 2.206