论文编号: | 1725110120140293 |
第一作者所在部门: | 研究生5,三室 |
论文题目: | Low temperature atomic layer deposited HfO2 for high performance charge trapping flash memory application |
作者: | 陈国星 |
刊物名称: | semiconductor science and technology |
年: | 2014 |
卷: | 29 |
期: | 4 |
页: | 1 |
联系作者: | 陈国星 |
影响因子: | 2.206 |
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