| 论文编号: | 1725110120140291 |
| 第一作者所在部门: | 研究生5，三室 |
| 论文题目: | Metal Floating Gate Memory Device with SiO2/HfO2 Dual-layer as Engineered Tunneling Barrier |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 陈国星 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Electron Device Letters |
| 年: | 2014 |
| 卷: | 35 |
| 期: | 7 |
| 页: | 744 |
| 联系作者: | 陈国星 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 3.023 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出