| 论文编号: | 1725110120140289 |
| 第一作者所在部门: | 研究生5,三室 |
| 论文题目: | Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 褚玉琼 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Chinese Physics B |
| 年: | 2014 |
| 卷: | 23 |
| 期: | 8 |
| 页: | 088501-1 |
| 联系作者: | 褚玉琼 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 1.392 |
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| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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