论文编号: 1725110120140277
第一作者所在部门: 十室一组
论文题目: Transistor gate line roughness formation and reduction in sub-30-nm gate patterning using multilayer hard mask structure
作者: 孟令款
刊物名称: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS
: 2014
: 13
: 3
: 33010
联系作者: 孟令款
影响因子: 1.205