Ni Silicide Processes For 22 nm CMOS Technology and Beyond--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140276
第一作者所在部门:	十室一组
论文题目:	Ni Silicide Processes For 22 nm CMOS Technology and Beyond
论文题目英文:
作者:	张青竹
论文出处:
刊物名称:	ECS Transactions
年:	1949
卷:
期:	151
页:	1
联系作者:	张青竹
收录类别:
影响因子:	0.5
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: